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JOHANSON代理商供應(yīng)貼片電容500R07S2R2BV4T
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TDK電容做整流后濾波 主要電壓通常是400V-1KV?容量主要有103?223?333?473? 主要規(guī)格有: 1KV?103K 1206?X7R?+-10% 630V?223K 1206?X7R?+-10% 630V?333K 1206 ?X7R +-10% 630V 333K 1210 X7R +-10% 473K 630V?1206 X7T +-10% 473K 630V ? 1210? X7R ?+-10% X7R材質(zhì)耐高溫-55+125度 更多規(guī)格... [查看詳細(xì)]
為了實現(xiàn)TDK C0G和NPO材質(zhì)貼片電容的小型化、大容量化，TDK電容通過先進的材料技術(shù)追求粒子大小的超微細(xì)化。TDK利用獨有的工藝技術(shù)，確立了電介質(zhì)層和電極層無錯位的高度積層技術(shù)和多達1000層的多層化技術(shù)。1層的層間厚度達到亞微米水平。通過追求薄層化與多層化，即使是極小的貼片尺寸也能同時實現(xiàn)接近鉭電容器的大容量... [查看詳細(xì)]
TDK貼片電容MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡單，由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫謱印㈤_裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)，掌握好的共燒技術(shù)... [查看詳細(xì)]
（TDK、MURATA村田)MLCC貼片電容焊接不良有存在以下幾點原因 1、MLCC貼片電容若放置太久，儲存條件潮濕或其它原因，容易出現(xiàn)氧化，就會影響貼片電容的可焊性。 2、不良的原因和焊盤還有焊膏也有關(guān)系。 3、焊接溫度的影響，在焊接工藝上可能用的是回流焊，這種焊接方式在溫度的控制上與時間的控制上，如果稍有偏... [查看詳細(xì)]
以下文章是本公司多年銷售高壓貼片電容經(jīng)驗總結(jié)，在使用中高壓貼片電容的注意事項和方法，和大家一起分享。 高壓貼片電容英文叫MLCC（或片狀多層陶瓷電容），以下文章高壓片電容簡稱MLCC，現(xiàn)在已經(jīng)成為了電子電路最常用的元件之一。MLCC表面看來，非常簡單，可是，很多情況下，設(shè)計工程師或生產(chǎn)、工藝人員對高壓貼片... [查看詳細(xì)]
1、標(biāo)稱電容量和允許偏差 標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。 電容器實際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。 精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1、0（02）-±2、Ⅰ-±5、Ⅱ-±10、Ⅲ-±20、Ⅳ-（?20-10）、Ⅴ-（?50-20）、Ⅵ-（?50-30） 一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ... [查看詳細(xì)]
近年來，以智能手機為代表的小型移動設(shè)備中，除了電話功能外，增加了數(shù)碼相機、游戲、網(wǎng)頁瀏覽、音樂播放器等許多功能，預(yù)計今后將有可能配備更多的功能。另外，今后還將普及LTE等高速數(shù)據(jù)通信功能，增加動畫等大容量的數(shù)據(jù)交流。 由于CPU的高速化和采用LTE通信，使得電力消耗變大，電池的容量也將隨之上升，因此安裝電... [查看詳細(xì)]
貼片陶瓷電容器的斷裂 貼片陶瓷電容器作常見的失效是斷裂,這是貼片陶瓷電容器自身介質(zhì)的脆性決定的.由于貼片陶瓷電容器直接焊接在電路板上,直接承受來自于電路板的各種機械應(yīng)力,而引線式陶瓷電容器則可以通過引腳吸收來自電路板的機械應(yīng)力.因此,對于貼片陶瓷電容器來說,由于熱膨脹系數(shù)不同或電路板彎曲所造成的機械應(yīng)力... [查看詳細(xì)]
NPO是貼片陶瓷電容器的高頻材質(zhì)，工作溫度-55+125度耐高溫，電容溫度特性是+/-30PPM,容量不會隨著溫度的變化而變化，這種材質(zhì)比X7R抗裂效果要好很多。 COG材質(zhì)是TDK高頻電容的表示方法，等同于NPO高頻材質(zhì)。 [查看詳細(xì)]
下面是不同材質(zhì)電容器的性能和應(yīng)用事項： ①NPO電容器 NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm／℃，電容量隨頻率及相對使用壽命的變化都非常小。 隨封裝形式不同，其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，... [查看詳細(xì)]